MEMORIA RAM
Se le llama RAM por que es posible acceder a cualquier ubicación de ella aleatoria y rápidamente
CICLO DE REFRESCO
Llamamos ciclo de refresco al tiempo que necesita el procesador para acceder a todas las direcciones de memoria para actualizar su contenido y no perderlo . Un ciclo de refresco de memoria puede emplear varios ciclos del microprocesador.
TIEMPO DE ACCESO
· demora de CAS o latencia de CAS (CAS significa Señalizador de Direccionamiento en Columna): es el número de ciclos de reloj que transcurre entre el envío del comando de lectura y la llegada de la información. En otras palabras, es el tiempo necesario para acceder a una columna.
· Tiempo de precarga de RAS (conocido como tRP; RAS significa Señalizador de Direccionamiento en Fila): es el número de ciclos de reloj transcurridos entre dos instrucciones de RAS, es decir, entre dos accesos a una fila.
· demora de RAS a CAS (a veces llamada tRCD): es el número de ciclos de reloj correspondiente al tiempo de acceso de una fila a una columna.
· tiempo activo de RAS (a veces denominado tRAS): es el número de ciclos de reloj correspondiente al tiempo de acceso a una columna.
BUFFER DE DATOS
buffer es la cantidad de memoria que se usa temporalmente. En informática, un buffer de datos es una ubicación de la memoria en una computadora o en un instrumento digital reservada para el almacenamiento temporal de información digital, mientras que está esperando ser procesada
MEMORIAS CON PARIDAD
consisten en añadir a cualquiera de los tipos anteriores un chip que realiza una operación con los datos cuando entran en el chip y otra cuando salen. Si el resultado ha variado, se ha producido un error y los datos ya no son fiables.
Dicho así, parece una ventaja; sin embargo, la computadora sólo avisa de que el error se ha producido, no lo corrige. Es más, estos errores son tan improbables que la mayor parte de los chips no los sufren jamás aunque estén funcionando durante años; por ello, hace años que todas las memorias se fabrican sin paridad.ECC: memoria con corrección de errores. Puede ser de cualquier tipo, aunque sobre todo EDO-ECC o SDRAM-ECC. Detecta errores de datos y los corrige; para aplicaciones críticas. Usada en servidores y mainframes.
Dicho así, parece una ventaja; sin embargo, la computadora sólo avisa de que el error se ha producido, no lo corrige. Es más, estos errores son tan improbables que la mayor parte de los chips no los sufren jamás aunque estén funcionando durante años; por ello, hace años que todas las memorias se fabrican sin paridad.ECC: memoria con corrección de errores. Puede ser de cualquier tipo, aunque sobre todo EDO-ECC o SDRAM-ECC. Detecta errores de datos y los corrige; para aplicaciones críticas. Usada en servidores y mainframes.
ESTRUCTURA FISICA
DRAM: aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos últimos de 30 contactos.
Fast Page (FPM): aparece como SIMMs de 30 ó 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486).
EDO:aparece como SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.
SDRAM: se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos; es usada en los Pentium II de menos de 350 MHz y en los Celeron.
ALMACENAMIENTO DE INFORMACION
El propósito del almacenamiento es guardar datos que la computadora no esté usando. El almacenamiento tiene tres ventajas sobre la memoria:
3. El almacenamiento es más barato que la memoria.
El medio de almacenamiento más común es el disco magnético. El dispositivo que contiene al disco se llama unidad de disco (drive). La mayoría de lascomputadoras personales tienen un disco duro no removible. Además usualmente hay una o dos unidades de disco flexible , las cuales le permiten usardiscos flexibles removibles. El disco duro normalmente puede guardar muchos más datos que un disco flexible y por eso se usa disco duro como el archivero principal de la computadora. Los discos flexibles se usan para cargar programas nuevos , o datos al disco duro, intercambiar datos con otros usuarios o hacer una copia de respaldo de los datos que están en el disco duro
MODULOS DE MOMORIA
DIP
· DIP :Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.
SIPP
· SIPP:consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa (de ahí su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, y proporcionan 4 bits por módulo.
D
DIMM
DIMM :Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una
pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un
zócalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.
RIMM
RIMM: designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 Mhz y 133 Mhz disponibles en aquellos años.
MODULOS DE RAM PARA PORTATILES
SO-RIMM:
es un chip de memoria basado en la Rambus tecnología, diseñado específicamente para computadoras portátiles y otros portátiles de ordenadores ha sido desarrollado. Los módulos son por lo tanto mucho más compacto que RIMM y tienen 160 contactos.
· SO-DIMM:
Un SO-DIMM, o en un esquema pequeño en la línea de módulos de memoria dual, es un tipo de memoria de la computadora construida con circuitos integrados
.
· MICRO-DIMM:
El factor de forma de memoria RAM más reciente y más pequeño es el MicroDIMM. El MicroDIMM es un factor de forma extremadamente pequeña memoria RAM
TIPOS DE MEMORIA RAM
ASINCRONAS:
DRAM0
es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos dememoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco
FPM-RAM
Ésta es la ram mas antigua y menos sofisticada del mercado. Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las mas lentas. Para sistemas basados en procesadores
EDO-RAM
Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras
los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más
o menos).Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se
instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168
BEDO-RAM
una evolución de la EDO, que envía ciertos datos en "ráfagas". Poco extendida, compite en prestaciones con la SDRAM.
MEMORIA SINCRONAS
SDR SDRAM:
Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en losPentium II y en los Pentium III , así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy rápido la denominación incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias síncronas dinámicas
PC66
PC66 consulta interna extraíble equipo de memoria estándar definido por el JEDEC . PC66 es DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 66,66 MHz, en un bus de 64 bits, a una tensión de 3,3 V. 66 PC está disponible en 168 pines DIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma.
PC100
es un estándar para el equipo interno removible de memoria de acceso aleatorio , que se define por el Joint Electron dispositivo Consejo de Ingeniería (JEDEC). PC100 consulta DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 100 MHz, en un bits de ancho de autobús 64, con un voltaje de 3,3 V. PC 100 está disponible en 168-pin DIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma . PC100 es compatible con PC66 .
PC133
es un estándar de memoria del equipo definido por la JEDEC . PC133 consulta DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 133 MHz, en un bits de ancho de autobús 64, con un voltaje de 3,3 V. PC 133 está disponible en 168 pines DIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma. PC133 SDRAM es el estándar más rápido y última vez aprobado por el JEDEC, y ofrece un ancho de banda de 1066 MB por segundo
DDR SDRAM
es una clase de memoria los circuitos integrados utilizados en los ordenadores . DDR SDRAM ha sido reemplazado por SDRAM DDR2 y DDR3 SDRAM , ninguna de las cuales están o hacia delante o hacia atrás compatible con DDR SDRAM, lo que significa que DDR2 o DDR3 módulos de memoria no funciona en DDR equipadaplacas base , y viceversa a la inversa
RDRAM
Es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.
El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pins. Este tipo de memoria se utilizó en el sistema de videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida
XDR DRAM
Es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2 SDRAM y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento.
XDR2 DRAM
Es un tipo de memoria de acceso aleatorio dinámico que se ofrece por Rambus. DRAM XDR2 se destina para el uso en gama alta de tarjetas gráficas y equipos de red.
DRDRAM
Una tecnología desarrollada y autorizada por la Corporación de Rambus, es la última versión y se espera que ayude a acelerar el crecimiento de las interfaces visualmente intensivas, tales como 3-D , juegos interactivos, y streaming multimedia. Rambus está destinada a sustituir la tecnología actual de la memoria principal de la memoria dinámica de acceso aleatorio
SLDRAM
Un tipo de memoria está siendo desarrollado por la desaparecida Consorcio Synclink. SLDRAM estaba destinado a ser una versión mejorada de SDRAM que utiliza un bus multiplexado para transferir datos hacia y desde los chips en lugar de configuración de pines fijos.
SRAM
Es la alternativa a la DRAM. No necesita tanta electricidad para su refresco y reemplazo de las direcciones y funciona más rápido porque no está reemplazando constantemente las instrucciones y los valores almacenados en ella.
Async SRAM
La memoria caché de los antiguos 386, 486 y primeros Pentium, asíncrona y con velocidades entre 20 y 12 ns.
Sync SRAM
Es la generación siguiente, capaz de sincronizarse con el procesador y con una velocidad entre 12 y 8,5 ns.
Pipelined SRAM
Se sincroniza también con el procesador, pero tarda en cargar los datos más que la anterior, aunque una vez cargados accede a ellos con más rapidez. Opera a velocidades entre 8 y 4,5 ns
EDRAM
un condensador con sede en la memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en la misma morir como un ASIC o procesador.
Incorporación de la memoria en el procesador ASIC o permite mucho más amplio autobuses y mayores velocidades de operación, y debido a una mayor densidad de gran parte de DRAM en comparación con SRAM , mayores cantidades de memoria se puede instalar en pequeñas fichas si eDRAM se utiliza en lugar de eSRAM.
ESDRAM
Este tipo de memoria es apoyado por ALPHA, que piensa utilizarla en sus futuros sistemas. Funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, puediendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hast 3,2 GB/s. El problema es el mismo que el de las dos anteriores, la falta de apoyo, y en este caso agravado por el apoyo minoritario de ALPHA, VLSI, IBM y DIGITAL.
VRAM
Es como la memoria RAM normal, pero puede ser accedida al mismo tiempo por el monitor y por el procesador de la tarjeta gráfica, para suavizar la presentación gráfica en pantalla, es decir, se puede leer y escribir en ella al mismo tiempo.
SGRAM
Ofrece las sorprendentes capacidades de la memoria SDRAM para las tarjetas gráficas. Es el tipo de memoria más popular en las nuevas tarjetas gráficas aceleradoras 3D
WRAM
Ventana de memoria RAM (WRAM), sin relación con Microsoft Windows, es muy rendimiento de video RAM de altura que es de dos puertos y un 25% más ancho de banda alrededor de VRAM, pero cuesta menos.
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